Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1907FE,LF(CB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4821043RN1907FE,LF(CB Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907FE,LF(CB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
4000+
$0.048
8000+
$0.042
12000+
$0.036
28000+
$0.034
100000+
$0.028
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1907FE,LF(CB
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1907FE,LF(CB.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    ES6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-563, SOT-666
  • Ostatní jména
    RN1907FE(T5L,F,T)
    RN1907FE(T5LFT)TR
    RN1907FE(T5LFT)TR-ND
    RN1907FE,LF(CT
    RN1907FELF(CBTR
    RN1907FELF(CTTR
    RN1907FELF(CTTR-ND
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1907FE,LF(CB“.
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905,LF

RN1905,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1907,LF

RN1907,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906,LF

RN1906,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.