Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1905,LF(CT

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

6747294

RN1905,LF(CT Image.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF(CT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.051

6000+

$0.044

15000+

$0.037

30000+

$0.035

75000+

$0.033

150000+

$0.029

Online poptávka

Specifikace

Part Number

RN1905,LF(CT
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

RN1905,LF(CT.pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dodavatel zařízení Package

US6
Série

-
Resistor - emitorová základna (R2)

47 kOhms
Rezistor - základna (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

200mW
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ostatní jména

RN1905,LF (CT
RN1905,LF(CB
RN1905LF(CT
RN1905LF(CT-ND
RN1905LF(CTTR
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

12 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod

250MHz
Detailní popis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max)

500nA
Proud - Collector (Ic) (Max)

100mA

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „RN1905,LF(CT“.

RN1902,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1904FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1903,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1907FE,LF(CB

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1902FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1901FETE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1904,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1905FE,LF(CB

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1907,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1902T5LFT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1901,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1905,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1907,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.