Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1905FE,LF(CB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5564345RN1905FE,LF(CB Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905FE,LF(CB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.30
10+
$0.27
25+
$0.195
100+
$0.151
250+
$0.095
500+
$0.081
1000+
$0.055
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN1905FE,LF(CB
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN1905FE,LF(CB.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    ES6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    2.2 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SOT-563, SOT-666
  • Ostatní jména
    RN1905FE(TE85LF)CT
    RN1905FE(TE85LF)CT-ND
    RN1905FELF(CBCT
    RN1905FELF(CTCT
    RN1905FELF(CTCT-ND
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN1905FE,LF(CB“.
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1904FE,LF(CT

RN1904FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1902,LF(CT

RN1902,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1905,LF

RN1905,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1903,LF(CT

RN1903,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906,LF

RN1906,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1907,LF

RN1907,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1902T5LFT

RN1902T5LFT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.