Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1910FE,LF(CT

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

4831731

RN1910FE,LF(CT Image.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE,LF(CT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

4000+

$0.048

8000+

$0.042

12000+

$0.036

28000+

$0.034

100000+

$0.028

Online poptávka

Specifikace

Part Number

RN1910FE,LF(CT
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

RN1910FE,LF(CT.pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dodavatel zařízení Package

ES6
Série

-
Resistor - emitorová základna (R2)

-
Rezistor - základna (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

100mW
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

SOT-563, SOT-666
Ostatní jména

RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod

250MHz
Detailní popis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Proud - Collector (Ic) (Max)

100mA

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „RN1910FE,LF(CT“.

RN1907,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1906FE,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1907,LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1964TE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1907FE,LF(CB

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1962TE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1910,LF(CT

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1911FETE85LF

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Popis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.