Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT85GR120B2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5259205APT85GR120B2 Image.Microsemi

APT85GR120B2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$17.32
10+
$15.744
30+
$14.563
120+
$13.382
270+
$12.201
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT85GR120B2
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 170A 962W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT85GR120B2.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Zkušební podmínky
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    43ns/300ns
  • přepínání energie
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    T-MAX™
  • Série
    -
  • Power - Max
    962W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    660nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    340A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    170A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT85GR120B2“.
APT80SM120S

APT80SM120S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Popis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Popis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8M80K

APT8M80K

Popis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Popis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Popis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8M100B

APT8M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.