Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT84M50L
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6654925APT84M50L Image.Microsemi

APT84M50L

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$22.37
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT84M50L
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-264
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1135W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-264-3, TO-264AA
  • Ostatní jména
    APT84M50LMI
    APT84M50LMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    340nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    500V
  • Detailní popis
    N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    84A (Tc)
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120J

APT80SM120J

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84F50B2

APT84F50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120S

APT80SM120S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120B

APT80SM120B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84M50B2

APT84M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84F50L

APT84F50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80GA90B

APT80GA90B

Popis: IGBT 900V 145A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80M60J

APT80M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Popis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80GP60J

APT80GP60J

Popis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8M80K

APT8M80K

Popis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Popis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8M100B

APT8M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT85GR120L

APT85GR120L

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT85GR120J

APT85GR120J

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení