Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT80SM120J
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2367220

APT80SM120J

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT80SM120J
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    POWER MOSFET - SIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Technika
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 40A, 20V
  • Ztráta energie (Max)
    273W (Tc)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    235nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    20V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1200V
  • Detailní popis
    N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    51A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT80SM120J“.
APT80GA90B

APT80GA90B

Popis: IGBT 900V 145A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GA60B

APT80GA60B

Popis: IGBT 600V 143A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Popis: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80F60J

APT80F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Popis: IGBT 600V 143A 625W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80M60J

APT80M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Popis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Popis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

Popis: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.