Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT85GR120JD60
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5567504APT85GR120JD60 Image.Microsemi

APT85GR120JD60

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$41.15
10+
$38.062
30+
$34.976
100+
$32.507
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT85GR120JD60
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • Power - Max
    543W
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    26 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    8.4nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    1.1mA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    116A
  • Konfigurace
    Single
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120J

APT80SM120J

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT85GR120L

APT85GR120L

Popis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84M50L

APT84M50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84M50B2

APT84M50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84F50B2

APT84F50B2

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Popis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT84F50L

APT84F50L

Popis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT85GR120J

APT85GR120J

Popis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8M100B

APT8M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120B

APT80SM120B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Popis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80SM120S

APT80SM120S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT80M60J

APT80M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT8M80K

APT8M80K

Popis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Popis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení