Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > 1N5806US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
22231371N5806US Image.Microsemi

1N5806US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$9.58
10+
$8.623
100+
$7.09
500+
$5.94
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    1N5806US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    1N5806US.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    875mV @ 1A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    150V
  • Dodavatel zařízení Package
    D-5A
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    25ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, A
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    7 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 150V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    1A
  • Kapacitní @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „1N5806US“.
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5806US

1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5809

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5807

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5807

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5809

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5805

1N5805

Popis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5809US

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5809US

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5802US

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5807US

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5803

1N5803

Popis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5802US

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5804US

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5804US

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5804

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5807US

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5804

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5808

1N5808

Popis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.