1N5804

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

$8.95

10+

$8.056

100+

$6.624

500+

$5.55

1000+

$4.834

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5804
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N5804.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

875mV @ 1A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

100V
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

25ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

A, Axial
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 175°C
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

7 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 100V 1A Through Hole
Proud - zpìtný únikový @ Vr

1µA @ 100V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

1A
Kapacitní @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N5804“.

1N5772

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5806TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5803

Popis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5802

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5774

Popis: TVS DIODE 14FLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5768

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5802

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5805

Popis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5770

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5804

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

1N5772

1N5806TR

1N5804US

1N5804

1N5802US

1N5803

1N5804US

1N5806US

1N5802

1N5774

1N5807

1N5806C.TR

1N5768

1N5802US

1N5807US

1N5802

1N5805

1N5770

1N5807

1N5806US

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk