1N5802

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

250+

$8.772

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5802
Výrobce / značka

Semtech
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 50V 3.3A AXIAL
Stav volného vedení / RoHS
Datasheety

1N5802.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

875mV @ 1A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

50V
Dodavatel zařízení Package

Axial
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

25ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

Axial
Ostatní jména

1N5802S
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 175°C
Typ montáže

Through Hole
Výrobní standardní doba výroby

46 Weeks
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 50V 3.3A Through Hole Axial
Proud - zpìtný únikový @ Vr

1µA @ 50V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

3.3A
Kapacitní @ Vr, F

25pF @ 5V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N5802“.

1N5774

Popis: TVS DIODE 14FLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5767#T25

Popis: DIODE PIN RF SWITCH 100V AXIAL

Výrobci: Avago Technologies (Broadcom Limited)

Na skladě

RFQ

1N5757B

Popis: DIODE ZENER 75V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5757D

Popis: DIODE ZENER 75V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5768

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5802

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5767

Popis: DIODE PIN RF SWITCH 100V AXIAL

Výrobci: Avago Technologies (Broadcom Limited)

Na skladě

RFQ

1N5770

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5805

Popis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5757C

Popis: DIODE ZENER 75V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5756D

Popis: DIODE ZENER 68V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5772

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

1N5803

Popis: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5802

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

1N5774

1N5802US

1N5767#T25

1N5757B

1N5757D

1N5768

1N5802US

1N5802

1N5804

1N5804US

1N5767

1N5770

1N5805

1N5804

1N5757C

1N5756D

1N5772

1N5803

1N5804US

1N5806C.TR

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk