1N5807

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

250+

$9.765

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5807
Výrobce / značka

Semtech
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
Stav volného vedení / RoHS
Datasheety

1N5807.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

875mV @ 4A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

50V
Dodavatel zařízení Package

Axial
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

30ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

Axial
Ostatní jména

1N5807S
Provozní teplota - spojení

-
Typ montáže

Through Hole
Výrobní standardní doba výroby

46 Weeks
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 50V 6A Through Hole Axial
Proud - zpìtný únikový @ Vr

5µA @ 50V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

6A
Kapacitní @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N5807“.

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5805

Popis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5808

Popis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5811C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ