3282045

1N5809

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

250+

$9.765

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5809
Výrobce / značka

Semtech
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Stav volného vedení / RoHS
Datasheety

1N5809.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

875mV @ 4A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

100V
Dodavatel zařízení Package

Axial
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

30ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

Axial
Ostatní jména

1N5809S
Provozní teplota - spojení

-
Typ montáže

Through Hole
Výrobní standardní doba výroby

46 Weeks
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 100V 6A Through Hole Axial
Proud - zpìtný únikový @ Vr

5µA @ 100V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

6A
Kapacitní @ Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N5809“.

1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5805

Popis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5812

Popis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5808

Popis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5806C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5811TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5809US.TR

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5807

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5809

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

1N5806US

1N5805

1N5806TR

1N5812

1N5811

1N5808

1N5807US

1N5806C.TR

1N5811TR

1N5807US

1N5811US

1N5811C.TR

1N5806US

1N5809US.TR

1N5809US

1N5809US

1N5807

1N5809

1N5807

1N5811US

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk