Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > EPC2106

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

449696

EPC

EPC2106

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

2500+

$0.869

Online poptávka

Specifikace

Part Number

EPC2106
Výrobce / značka

EPC
Množství zásob

Na skladě
Popis

TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

EPC2106.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.5V @ 600µA
Dodavatel zařízení Package

Die
Série

eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 5V
Power - Max

-
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

Die
Ostatní jména

917-1110-2
Provozní teplota

-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

14 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

0.73nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature

GaNFET (Gallium Nitride)
Drain na zdroj napětí (Vdss)

100V
Detailní popis

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

1.7A

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „EPC2106“.

EPC2104ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2110

Popis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2105ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2102ENGRT

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2107ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2110ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2104

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2108ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2111ENGRT

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2108

Popis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2103ENGRT

Popis: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2103ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2104ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2106ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2103

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2112ENGRT

Popis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2105ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2107

Popis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2105

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC

Na skladě

EPC2111

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.