Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > EPC2108
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4565915EPC2108 Image.EPC

EPC2108

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.916
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    EPC2108
  • Výrobce / značka
    EPC
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    EPC2108.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Dodavatel zařízení Package
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Série
    eGaN®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
  • Power - Max
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    9-VFBGA
  • Ostatní jména
    917-1169-2
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    14 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 30V, 7pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • Typ FET
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V, 100V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „EPC2108“.
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2104

EPC2104

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2801

EPC2801

Popis: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2203

EPC2203

Popis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2105

EPC2105

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Popis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2202

EPC2202

Popis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2110

EPC2110

Popis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2107

EPC2107

Popis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2106

EPC2106

Popis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2111

EPC2111

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Popis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Výrobci: EPC
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.