Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > EPC2103ENGRT
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
817711EPC2103ENGRT Image.EPC

EPC2103ENGRT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$9.18
10+
$8.262
25+
$7.528
100+
$6.793
250+
$6.242
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    EPC2103ENGRT
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 7mA
  • Dodavatel zařízení Package
    Die
  • Série
    eGaN®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Power - Max
    -
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    Die
  • Ostatní jména
    917-1146-1
    917-1146-1-ND
    917-EPC2103ENGRCT
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    7600pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105

EPC2105

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2106

EPC2106

Popis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102

EPC2102

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2103

EPC2103

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2101

EPC2101

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2104

EPC2104

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2107

EPC2107

Popis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení