Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > EPC2104ENGRT
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6164688EPC2104ENGRT Image.EPC

EPC2104ENGRT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
500+
$5.615
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    EPC2104ENGRT
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2NCH 100V 23A DIE
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 5.5mA
  • Dodavatel zařízení Package
    Die
  • Série
    eGaN®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 20A, 5V
  • Power - Max
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    Die
  • Ostatní jména
    917-EPC2104ENGRTR
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Feature
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2103

EPC2103

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Popis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2108

EPC2108

Popis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2106

EPC2106

Popis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105

EPC2105

Popis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2104

EPC2104

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2107

EPC2107

Popis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Popis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Popis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Popis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2110

EPC2110

Popis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Popis: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Výrobci: EPC
Na skladě
EPC2102

EPC2102

Popis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Výrobci: EPC
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení