Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - pole > HN1C01FYTE85LF
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3333734HN1C01FYTE85LF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    HN1C01FYTE85LF
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    HN1C01FYTE85LF.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Transistor Type
    2 NPN (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SM6
  • Série
    -
  • Power - Max
    300mW
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    SC-74, SOT-457
  • Ostatní jména
    HN1C01FYTE85LFDKR
  • Provozní teplota
    125°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    80MHz
  • Detailní popis
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    150mA

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „HN1C01FYTE85LF“.
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Popis: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.