Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - pole > HN1C03F-B(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2136494HN1C03F-B(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    HN1C03F-B(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    HN1C03F-B(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    20V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    100mV @ 3mA, 30mA
  • Transistor Type
    2 NPN (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SM6
  • Série
    -
  • Power - Max
    300mW
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SC-74, SOT-457
  • Ostatní jména
    HN1C03F-B(TE85LF)CT
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    30MHz
  • Detailní popis
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    350 @ 4mA, 2V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    300mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „HN1C03F-B(TE85L,F)“.
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Popis: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D04FUTE85LF

HN1D04FUTE85LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.