Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - pole > HN1C01FE-Y,LF

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

2459160

HN1C01FE-Y,LF Image.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$0.33

10+

$0.297

25+

$0.214

100+

$0.167

250+

$0.105

500+

$0.089

1000+

$0.061

Online poptávka

Specifikace

Part Number

HN1C01FE-Y,LF
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

HN1C01FE-Y,LF.pdf
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC

250mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type

2 NPN (Dual)
Dodavatel zařízení Package

ES6
Série

-
Power - Max

100mW
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

SOT-563, SOT-666
Ostatní jména

HN1C01FE-Y(T5LFTCT
HN1C01FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1C01FE-YLFCT
Provozní teplota

150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod

80MHz
Detailní popis

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Proud - Collector (Ic) (Max)

150mA

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „HN1C01FE-Y,LF“.

HN1B04FE-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C01FU-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C01FYTE85LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1D01FU,LF

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C01FE-GR,LF

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B01FU-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B04FU-Y,LF

Popis: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B04FU-GR,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Popis: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1B04FE-Y,LF

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Popis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Popis: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.