Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RS1DLHRTG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4328772RS1DLHRTG Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRTG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
15000+
$0.049
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1DLHRTG
  • Výrobce / značka
    Taiwan Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RS1DLHRTG.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 800mA
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    Sub SMA
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    150ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-219AB
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    21 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    800mA
  • Kapacitní @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RS1DLHRTG“.
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DL RUG

RS1DL RUG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Výrobci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.