Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > RS1E180BNTB
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3928689RS1E180BNTB Image.LAPIS Semiconductor

RS1E180BNTB

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.225
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1E180BNTB
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.RS1E180BNTB.pdf
    2.RS1E180BNTB.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-HSOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 18A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    RS1E180BNTBTR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    40 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2400pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RS1E180BNTB“.
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Výrobci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na skladě
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1G

RS1G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.