Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RS1DTR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2453918RS1DTR Image.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

RS1DTR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
120000+
$0.015
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1DTR
  • Výrobce / značka
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RS1DTR.pdf
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 1A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    SMA
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    150ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-214AC, SMA
  • Ostatní jména
    RS1DTRSMC
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    6 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SMA
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    1A
  • Kapacitní @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RS1DTR“.
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.