Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > DMG564010R
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6911229DMG564010R Image.Panasonic

DMG564010R

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.132
6000+
$0.124
15000+
$0.116
30000+
$0.106
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG564010R
  • Výrobce / značka
    Panasonic
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMG564010R.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SMini6-F3-B
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    10 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-SMD, Flat Leads
  • Ostatní jména
    DMG564010RTR
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    11 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    -
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    DMG56401

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMG564010R“.
DMG564H30R

DMG564H30R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG564040R

DMG564040R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Popis: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Popis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG564060R

DMG564060R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Popis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Popis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.