DMG4N65CTI

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

50+

$1.325

Online poptávka

Specifikace

Part Number

DMG4N65CTI
Výrobce / značka

Diodes Incorporated
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olovo a RoHS
Datasheety

DMG4N65CTI.pdf
ECAD model
Vgs (th) (max) 'Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

ITO-220AB
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 2A, 10V
Ztráta energie (Max)

8.35W (Ta)
Obal

Tube
Paket / krabice

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Ostatní jména

DMG4N65CTIDDI
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

650V
Detailní popis

N-Channel 650V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Nastavili jsme dlouhodobá partnerství s hlavními poskytovateli globální logistiky a nabízejí flexibilní a efektivní přepravní řešení přizpůsobená vašim jedinečným potřebám.V závislosti na velikosti, hmotnosti a cíli vaší objednávky vybereme nejvhodnějšího přepravního dopravce.Poskytujeme také služby pro sledování logistiky v reálném čase, což zákazníkům umožňuje kdykoli porozumět umístění a stavu jejich zboží. Pokud máte konkrétní mezinárodní přepravní trasy nebo určeného zasílatele, kontaktujte prosím náš prodejní tým-rádi se přizpůsobí vašim požadavkům.

Podporujeme více metod plateb, včetně kreditních karet, drátových převodů a dalších možností a přijímáme většinu měn.U objednávek zadaných v USD jsou k dispozici další možnosti plateb.Pro více informací o metodách a postupech plateb kontaktujte náš prodejní tým.

Následuje produkty související s „DMG4N65CTI“.

DMG4N60SK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Výrobci: Diodes Incorporated

Na skladě

DMG4N65CTI

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

What the Global Supercomputer Rankings Reveal About the Fut...

Electronics Weekly News | Feb 23 - Mar 1, 2026

How to Identify Authentic Components | X-RAY Spotting Machine

Electronics Weekly News | Feb 2 - 8, 2026

Customer Case Study | Tier1 ADAS / Domain Controller Memory...

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

Electronics Weekly News | Jan 26- Feb 1, 2026

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk