domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMG4N60SCT
Žádost o nabídku
Čeština
1781239

DMG4N60SCT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
50+
$0.824
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG4N60SCT
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AB
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    113W (Ta)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    30 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    532pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Ta)
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Popis:

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Popis:

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Popis:

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Popis:

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563010R

DMG563010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Popis:

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Popis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Popis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563020R

DMG563020R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563H50R

DMG563H50R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG504010R

DMG504010R

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Popis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563H40R

DMG563H40R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563H10R

DMG563H10R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení