Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMG4511SK4-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3185856

DMG4511SK4-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.92
10+
$0.804
100+
$0.62
500+
$0.46
1000+
$0.368
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG4511SK4-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMG4511SK4-13.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252-4L
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 8A, 10V
  • Power - Max
    1.54W
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Ostatní jména
    DMG4511SK4-13DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    18.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel, Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    35V
  • Detailní popis
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    5.3A, 5A
  • Číslo základní části
    DMG4511

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMG4511SK4-13“.
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Popis: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Popis: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Popis: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Popis: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Popis: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Popis: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.