Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - pole > DMG504010R
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6755056DMG504010R Image.Panasonic

DMG504010R

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.108
6000+
$0.101
15000+
$0.095
30000+
$0.087
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG504010R
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
  • Transistor Type
    NPN, PNP
  • Dodavatel zařízení Package
    SMini6-F3-B
  • Série
    -
  • Power - Max
    150mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-SMD, Flat Leads
  • Ostatní jména
    DMG504010RTR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    11 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    150MHz
  • Detailní popis
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    210 @ 2mA, 10V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    DMG50401
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Popis: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563H40R

DMG563H40R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Popis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Popis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564040R

DMG564040R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563H10R

DMG563H10R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563H50R

DMG563H50R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Popis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564050R

DMG564050R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563020R

DMG563020R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG564060R

DMG564060R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564030R

DMG564030R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563010R

DMG563010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG564010R

DMG564010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení