Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMG5802LFX-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1674740DMG5802LFX-7 Image.Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.267
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG5802LFX-7
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1.5V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    W-DFN5020-6
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Power - Max
    980mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-VFDFN Exposed Pad
  • Ostatní jména
    DMG5802LFX-7DITR
    DMG5802LFX7
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1066.4pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    31.3nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    24V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6.5A
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564050R

DMG564050R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564010R

DMG564010R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG563H50R

DMG563H50R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG563H40R

DMG563H40R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG564060R

DMG564060R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564H30R

DMG564H30R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564030R

DMG564030R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG564H20R

DMG564H20R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564040R

DMG564040R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení