Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMG6402LDM-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1768498DMG6402LDM-7 Image.Diodes Incorporated

DMG6402LDM-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.123
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMG6402LDM-7
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-26
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.12W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6
  • Ostatní jména
    DMG6402LDM-7DITR
    DMG6402LDM7
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    404pF @ 15V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1.12W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564050R

DMG564050R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG564030R

DMG564030R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564H30R

DMG564H30R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Popis: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Popis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564060R

DMG564060R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564H20R

DMG564H20R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Popis: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG564040R

DMG564040R

Popis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Výrobci: Panasonic
Na skladě
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení