Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT35GP120B2DQ2G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3979842APT35GP120B2DQ2G Image.Microsemi

APT35GP120B2DQ2G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$21.70
10+
$19.728
30+
$18.248
120+
$16.769
270+
$15.289
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT35GP120B2DQ2G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT35GP120B2DQ2G.pdf
    2.APT35GP120B2DQ2G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Zkušební podmínky
    600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    16ns/95ns
  • přepínání energie
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • Série
    POWER MOS 7®
  • Power - Max
    543W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3 Variant
  • Ostatní jména
    APT35GP120B2DQ2GMI
    APT35GP120B2DQ2GMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    150nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    140A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    96A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT35GP120B2DQ2G“.
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Popis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Popis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Popis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Popis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Popis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Popis: MOSFET N-CH 700V TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Popis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Popis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.