Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT35GN120BG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6930899APT35GN120BG Image.Microsemi

APT35GN120BG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$10.20
10+
$9.181
30+
$8.365
120+
$7.549
270+
$6.937
510+
$6.325
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT35GN120BG
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 94A 379W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT35GN120BG.pdf
    2.APT35GN120BG.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Zkušební podmínky
    800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    24ns/300ns
  • přepínání energie
    2.315mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 [B]
  • Série
    -
  • Power - Max
    379W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    APT35GN120BGMI
    APT35GN120BGMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • Gate Charge
    220nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    105A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    94A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT35GN120BG“.
APT34F60BG

APT34F60BG

Popis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Popis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Popis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Popis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Popis: MOSFET N-CH 700V TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Popis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Popis: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.