5781909

APT35SM70S

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

APT35SM70S
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 700V D3PAK
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

APT35SM70S.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

-
Vgs (Max)

-
Technika

SiCFET (Silicon Carbide)
Dodavatel zařízení Package

TO-247
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

-
Ztráta energie (Max)

-
Obal

Tube
Paket / krabice

TO-247-3
Provozní teplota

-
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

-
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

-
Drain na zdroj napětí (Vdss)

700V
Detailní popis

700V 35A Through Hole TO-247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

35A

Následuje produkty související s „APT35SM70S“.

APT37M100B2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35SM70B

Popis: MOSFET N-CH 700V TO247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT38F80L

Popis: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT38F80B2

Popis: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT37M100L

Popis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GN120BG

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GA90BD15

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT36N90BC3G

Popis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT38F50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GP120JDQ2

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GP120BG

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GP120J

Popis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GN120L2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT36GA60BD15

Popis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT35GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT37F50B

Popis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT36GA60B

Popis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

APT37F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

APT35SM70S

Žádost o nabídku

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

APT37M100B2

APT35SM70B

APT38F80L

APT38F80B2

APT37M100L

APT35GN120BG

APT35GA90BD15

APT36N90BC3G

APT38F50J

APT35GP120B2DQ2G

APT35GT120JU2

APT35GP120JDQ2

APT35GP120BG

APT35GP120J

APT35GN120L2DQ2G

APT36GA60BD15

APT35GT120JU3

APT37F50B

APT36GA60B

APT37F50S

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk