Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT34F60BG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3082196APT34F60BG Image.Microsemi

APT34F60BG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT34F60BG
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT34F60BG.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-3
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 17A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    624W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    6640pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 34A (Tc) 624W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT34F60BG“.
APT34F60B

APT34F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Popis: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Popis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Popis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Popis: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Popis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Popis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G

Popis: IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Popis: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Popis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Popis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Popis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Popis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.