Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT11GF120BRDQ1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2882774APT11GF120BRDQ1G Image.Microsemi

APT11GF120BRDQ1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT11GF120BRDQ1G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 25A 156W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT11GF120BRDQ1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3V @ 15V, 8A
  • Zkušební podmínky
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    7ns/100ns
  • přepínání energie
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 [B]
  • Série
    -
  • Power - Max
    156W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    65nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    24A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    25A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT11GF120BRDQ1G“.
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Popis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Popis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.