Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > APT10SCD120B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
30402APT10SCD120B Image.Microsemi

APT10SCD120B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT10SCD120B
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.8V @ 10A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    1200V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247
  • Rychlost
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    0ns
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-2
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Silicon Carbide Schottky
  • Detailní popis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    36A (DC)
  • Kapacitní @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT10SCD120B“.
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Popis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Popis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.