Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT102GA60B2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6667210APT102GA60B2 Image.Microsemi

APT102GA60B2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT102GA60B2
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 183A 780W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT102GA60B2.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Zkušební podmínky
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    28ns/212ns
  • přepínání energie
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    780W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3 Variant
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    294nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    307A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    183A

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT102GA60B2“.
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Popis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Popis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Popis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Popis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.