domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - usměrňovače - pole > APT100S20LCTG
Žádost o nabídku
Čeština
5103347APT100S20LCTG Image.Microsemi

APT100S20LCTG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$13.50
25+
$11.353
100+
$10.433
500+
$8.898
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT100S20LCTG
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    950mV @ 100A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-264 [L]
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    70ns
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-264-3, TO-264AA
  • Ostatní jména
    APT100S20LCTGMI
    APT100S20LCTGMI-ND
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    26 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Schottky
  • Konfigurace dioda
    1 Pair Common Cathode
  • Detailní popis
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    2mA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    120A
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Popis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT102GA60L

APT102GA60L

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100S20BG

APT100S20BG

Popis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Popis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Popis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Popis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Popis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100M50J

APT100M50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení