Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - usměrňovače - pole > APT10SCD65KCT
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
546018

APT10SCD65KCT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT10SCD65KCT
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.8V @ 10A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    650V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220
  • Rychlost
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    0ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Silicon Carbide Schottky
  • Konfigurace dioda
    1 Pair Common Cathode
  • Detailní popis
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    200µA @ 650V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    17A
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Popis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11F80S

APT11F80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11F80B

APT11F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Popis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení