Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > 1N5811TR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
27087911N5811TR Image.Microsemi

1N5811TR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    1N5811TR
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1N5811TR.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    875mV @ 4A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    150V
  • Dodavatel zařízení Package
    -
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    30ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    B, Axial
  • Ostatní jména
    1N5811
    1N5811E3
    1N5811E3TR
    1N5811E3TR-ND
    1N5811TR-ND
    1N5811TRTR
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 150V 6A Through Hole
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 150V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    6A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
  • Číslo základní části
    1N5811

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „1N5811TR“.
1N5815R

1N5815R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5809US

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5815

1N5815

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5814

1N5814

Popis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5807US

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5808

1N5808

Popis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5812

1N5812

Popis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5809US

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5814R

1N5814R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5811

1N5811

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5812R

1N5812R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5811US

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5811US

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5807US

1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5809

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5809

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5813

1N5813

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech
Na skladě
RFQ
1N5813R

1N5813R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.