5182021

1N5812

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

100+

$45.871

Online poptávka

Specifikace

Part Number

1N5812
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Datasheety

1N5812.pdf
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

950mV @ 20A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

50V
Dodavatel zařízení Package

DO-203AA
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

15ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

DO-203AA, DO-4, Stud
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 175°C
Typ montáže

Stud Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 50V 20A Stud Mount DO-203AA
Proud - zpìtný únikový @ Vr

10µA @ 50V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

20A
Kapacitní @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

Následuje produkty související s „1N5812“.

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5816

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5815

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5813R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5809US.TR

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5813

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5811C.TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5811TR

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5817

Popis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Výrobci: Semtech

Na skladě

RFQ

1N5814R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5814

Popis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5812R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5815R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

1N5816R

Popis: RECTIFIER DIODE

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

1N5812

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

1N5809

1N5816

1N5811US

1N5811US

1N5815

1N5809

1N5811

1N5813R

1N5809US.TR

1N5813

1N5811C.TR

1N5811TR

1N5817

1N5809US

1N5814R

1N5814

1N5812R

1N5809US

1N5815R

1N5816R

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk