Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPN2010FNH,L1Q

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

3845763

TPN2010FNH,L1Q Image.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

1+

$1.89

10+

$1.671

100+

$1.32

500+

$1.024

1000+

$0.808

Online poptávka

Specifikace

Part Number

TPN2010FNH,L1Q
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

TPN2010FNH,L1Q.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série

U-MOSVIII-H
RDS On (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.8A, 10V
Ztráta energie (Max)

700mW (Ta), 39W (Tc)
Obal

Cut Tape (CT)
Paket / krabice

8-PowerVDFN
Ostatní jména

TPN2010FNHL1QCT
Provozní teplota

150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

250V
Detailní popis

N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

5.6A (Ta)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „TPN2010FNH,L1Q“.

TPN30008NH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3021RL

Popis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

TPN11003NL,LQ

Popis: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN1R603PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN13008NH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3300ANH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3R704PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN1600ANH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN1110ENH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN4R303NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN22006NH,LQ

Popis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN14006NH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3021

Popis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN11006NL,LQ

Popis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R703NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R304PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN4R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.