Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TPN1110ENH,L1Q

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

4790056

TPN1110ENH,L1Q Image.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1110ENH,L1Q

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

5000+

$0.676

Online poptávka

Specifikace

Part Number

TPN1110ENH,L1Q
Výrobce / značka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

TPN1110ENH,L1Q.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série

U-MOSVIII-H
RDS On (Max) @ Id, Vgs

114 mOhm @ 3.6A, 10V
Ztráta energie (Max)

700mW (Ta), 39W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

8-PowerVDFN
Ostatní jména

TPN1110ENH,L1Q(M
TPN1110ENHL1QTR
Provozní teplota

150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

200V
Detailní popis

N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „TPN1110ENH,L1Q“.

TPN2R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN4R203NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN30008NH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3300ANH,LQ

Popis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN1R603PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Popis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3021RL

Popis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Popis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN13008NH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2R304PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN2010FNH,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN11003NL,LQ

Popis: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN22006NH,LQ

Popis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN11006NL,LQ

Popis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN4R303NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3021

Popis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Výrobci: STMicroelectronics

Na skladě

TPN2R703NL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN1600ANH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN14006NH,L1Q

Popis: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

TPN3R704PL,L1Q

Popis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.