Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN2703JE(TE85L,F)
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2276165RN2703JE(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2703JE(TE85L,F)

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$0.57
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN2703JE(TE85L,F)
  • Výrobce / značka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    RN2703JE(TE85L,F).pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Dodavatel zařízení Package
    ESV
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    22 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    22 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    SOT-553
  • Ostatní jména
    RN2703JE(TE85LF)CT
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    200MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN2703JE(TE85L,F)“.
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Popis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Popis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.