Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - RF > RN262GT2R
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1307159RN262GT2R Image.LAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
8000+
$0.099
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RN262GT2R
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    30V
  • Dodavatel zařízení Package
    VMD2
  • Série
    -
  • Odpor při IF, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Ztráta energie (Max)
    100mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    2-SMD, Flat Lead
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    PIN - Single
  • Detailní popis
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Proud - Max
    100mA
  • Kapacitní @ Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „RN262GT2R“.
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Výrobci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na skladě
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Popis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.