Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > S12GC M6G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4593737S12GC M6G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12GC M6G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
6000+
$0.201
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    S12GC M6G
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.1V @ 12A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    400V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-214AB (SMC)
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    DO-214AB, SMC
  • Ostatní jména
    S12GC M6G-ND
    S12GCM6G
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 400V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 400V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    12A
  • Kapacitní @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12J

S12J

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12JC R7G

S12JC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12BR

S12BR

Popis: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12JC M6G

S12JC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12JC V6G

S12JC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12GC V7G

S12GC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12G

S12G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12DR

S12DR

Popis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GC R7G

S12GC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12GC V6G

S12GC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12B-ZR

S12B-ZR

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
S12D

S12D

Popis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
S12GR

S12GR

Popis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení