Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > S12DR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3282990

S12DR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$4.369
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    S12DR
  • Výrobce / značka
    GeneSiC Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.S12DR.pdf
    2.S12DR.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    12A
  • Napětí - Rozdělení
    DO-4
  • Série
    -
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Ostatní jména
    S12DRGN
  • Typ montáže
    Chassis, Stud Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    10 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    S12DR
  • Rozšířený popis
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Konfigurace dioda
    10µA @ 50V
  • Popis
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    200V
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „S12DR“.
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12D

S12D

Popis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
S12GR

S12GR

Popis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12B-XASK-1(LF)(SN)

S12B-XASK-1(LF)(SN)

Popis: XA HEADER (SIDE)

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12G

S12G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12BR

S12BR

Popis: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12J

S12J

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Výrobci: GeneSiC Semiconductor
Na skladě
RFQ
S12B-ZR

S12B-ZR

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12B-XADSS-N(LF)(SN)

S12B-XADSS-N(LF)(SN)

Popis: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

Popis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Výrobci: JST
Na skladě
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Popis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.