Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > R6031222PSYA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4927576

R6031222PSYA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
30+
$92.703
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6031222PSYA
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    2.75V @ 800A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    1200V
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-205AB, DO-9
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    500ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Provozní teplota - spojení
    -45°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Chassis, Stud Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 1200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    50mA @ 1200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    220A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
R6030MNX

R6030MNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R60400-1CR

R60400-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
R6030KNX

R6030KNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R60400-1STR

R60400-1STR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení