Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6035KNZ1C9
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4453207R6035KNZ1C9 Image.LAPIS Semiconductor

R6035KNZ1C9

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.05
10+
$5.405
100+
$4.432
500+
$3.589
1000+
$3.027
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6035KNZ1C9
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    R6035KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    379W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    R6035KNZ1C9TR
    R6035KNZ1C9TR-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6035KNZ1C9“.
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60400-3CR

R60400-3CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6047ENZ1C9

R6047ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6046FNZC8

R6046FNZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Popis: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Popis: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.