JAN1N6631U

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

JAN1N6631U
Výrobce / značka

Microsemi
Množství zásob

Na skladě
Popis

DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Stav volného vedení / RoHS

Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li

1.6V @ 1.4A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)

1000V
Dodavatel zařízení Package

D-5B
Rychlost

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

Military, MIL-PRF-19500/590
Reverse Time Recovery (TRR)

60ns
Obal

Bulk
Paket / krabice

SQ-MELF, E
Ostatní jména

1086-19999
1086-19999-MIL
Provozní teplota - spojení

-65°C ~ 150°C
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type

Standard
Detailní popis

Diode Standard 1000V 1.4A Surface Mount D-5B
Proud - zpìtný únikový @ Vr

4µA @ 1000V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io)

1.4A
Kapacitní @ Vr, F

-

Následuje produkty související s „JAN1N6631U“.

JAN1N6640US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6640

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6630U

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6628U

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6641

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6639

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6638U

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6629U

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6639US

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6641US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6631

Popis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6638US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6638

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation

Na skladě

RFQ

JAN1N6631US

Popis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6630US

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6629

Popis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6628

Popis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6628US

Popis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6629US

Popis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

JAN1N6630

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Výrobci: Microsemi

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

JAN1N6631U

Žádost o nabídku

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

JAN1N6640US

JAN1N6640

JAN1N6630U

JAN1N6628U

JAN1N6641

JAN1N6639

JAN1N6638U

JAN1N6629U

JAN1N6639US

JAN1N6641US

JAN1N6631

JAN1N6638US

JAN1N6638

JAN1N6631US

JAN1N6630US

JAN1N6629

JAN1N6628

JAN1N6628US

JAN1N6629US

JAN1N6630

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk